SK hynix vừa chính thức công bố đã hoàn tất phát triển bộ nhớ HBM4 (High Bandwidth Memory thế hệ 4) và sẵn sàng cho sản xuất hàng loạt. Đây là cột mốc quan trọng trong ngành bán dẫn, khi HBM4 của hãng vượt chuẩn JEDEC đến 25% về hiệu năng.
Điểm nổi bật của HBM4 từ SK hynix:
-
Giao diện 2.048-bit I/O: Lần đầu tiên tăng gấp đôi băng thông kể từ năm 2015.
-
Tốc độ truyền dữ liệu 10 GT/s: Cao hơn chuẩn JEDEC (8 GT/s).
-
Công nghệ 1b-nm DRAM: Quy trình 10nm thế hệ 5 với hiệu suất tốt và độ ổn định cao.
-
Phương pháp MR-MUF cải tiến: Giúp giữ chiều cao 12-Hi stack trong chuẩn, đồng thời tối ưu tản nhiệt.
Ông Joohwan Cho, Giám đốc phát triển HBM của SK hynix, cho biết:
"Việc hoàn tất HBM4 là một cột mốc mới cho ngành. Chúng tôi cam kết đáp ứng nhu cầu khách hàng về hiệu năng, hiệu quả năng lượng và độ tin cậy, đúng thời điểm để duy trì lợi thế cạnh tranh."
Hiện SK hynix chưa tiết lộ số lớp DRAM hay dung lượng chính xác, nhưng giới chuyên gia dự đoán có thể là 12-Hi 36 GB cho GPU trung tâm dữ liệu Nvidia thế hệ Rubin.
Không chỉ SK hynix, các đối thủ cũng đang vượt chuẩn JEDEC: Micron thử nghiệm HBM4 ở 9.2 GT/s, trong khi Rambus đã phát triển bộ điều khiển hỗ trợ 10 GT/s.
Dù đã sẵn sàng cho sản xuất hàng loạt, SK hynix chưa công bố thời điểm chính thức bắt đầu sản xuất HBM4 quy mô lớn.
